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SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
3176 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR670DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786783
Numero di Parte
SIR670DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR670DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8Inventario
3176 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR670DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2815 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR670
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR670DP
Scheda Dati HTML
SIR670DP-T1-GE3-DG
Disegni del prodotto
PowerPak SO-8 Drawing
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR670DP-T1-GE3DKR
SIR670DP-T1-GE3TR
SIR670DP-T1-GE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIR670DP-T1-GE3?
Il MOSFET Vishay SIR670DP-T1-GE3 è un dispositivo a canale N con una tensione di 60V, una capacità di corrente continua di 60A e una bassa Rds On di 4,8 mΩ. È dotato di montaggio su superficie con confezionamento PowerPAK® SO-8, ideale per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.
Il Vishay SIR670DP-T1-GE3 è adatto per circuiti di alimentazione ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è progettato per gestire fino a 60A di corrente di drenaggio continua a 25°C e presenta una bassa Rds On per uno switch di potenza efficiente, rendendolo ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta corrente.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET?
Questo MOSFET è adatto per utilizzo in alimentatori, controllo motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni di commutazione ad alta efficienza grazie alla sua elevata capacità di corrente e alla bassa resistenza on.
Il Vishay SIR670DP-T1-GE3 è compatibile con i processi standard di assemblaggio a montaggio superficiale?
Sì, essendo fornito in confezionamento PowerPAK® SO-8, è compatibile con le tecniche standard di assemblaggio SMT, facilitando un'integrazione semplice in vari progetti elettronici.
Quali garanzie e supporto post-vendita sono disponibili acquistando questo MOSFET?
Essendo un prodotto originale nuovo, è coperto dall'assicurazione di qualità del produttore. È possibile contattare il fornitore per assistenza, e il prodotto rispetta gli standard RoHS3, garantendo sicurezza ambientale e affidabilità.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR670DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR670DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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