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SIR638ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
9400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR638ADP-T1-RE3
Panoramica del prodotto
12786757
Numero di Parte
SIR638ADP-T1-RE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR638ADP-T1-RE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8Inventario
9400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR638ADP-T1-RE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9100 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR638
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR638ADP
Scheda Dati HTML
SIR638ADP-T1-RE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR638ADP-T1-RE3TR
SIR638ADP-T1-RE3DKR
SIR638ADP-T1-RE3CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIR638ADP-T1-RE3?
Il Vishay SIR638ADP-T1-RE3 è un MOSFET a canale N per alimentazione con una tensione nominale di 40V e una corrente di drain continua di 100A, progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni. Presenta un Rds On basso di 0,88 milliohm e un package PowerPAK® SO-8 montato su superficie, per facilitare l'installazione.
Questo MOSFET Vishay SIR638ADP-T1-RE3 è adatto per circuiti di alimentazione ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è ideale per circuiti di potenza ad alta corrente, in grado di gestire fino a 100A di corrente drain continua a 25°C, rendendolo perfetto per la gestione dell'alimentazione, il controllo dei motori e altre applicazioni impegnative.
Qual è la gamma di temperature di funzionamento di questo MOSFET?
Il Vishay SIR638ADP-T1-RE3 è progettato per operare in un ampio intervallo di temperatura che va da -55°C a +150°C, garantendo prestazioni affidabili in diverse condizioni ambientali.
Questo MOSFET è compatibile con i processi standard di montaggio su PCB a superficie?
Sì, il package PowerPAK® SO-8 è di tipo montato su superficie ed è compatibile con le tecniche standard di assemblaggio PCB, facilitando una produzione efficiente e connessioni affidabili.
Questo MOSFET soddisfa gli standard ambientali RoHS e REACH?
Sì, il Vishay SIR638ADP-T1-RE3 è conforme alla direttiva RoHS3 e non è soggetto alle normative REACH, garantendo il rispetto degli attuali standard ambientali e di sicurezza per i componenti elettronici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR638ADP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR638ADP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
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