Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
Verifica delle prestazioni elettriche
Email di servizio:
[email protected]
>
SIR610DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
23300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Richiedi preventivo
(Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
Minimo 1
5.0 / 5.0
- (498 Valutazioni)
SIR610DP-T1-RE3
Panoramica del prodotto
12786967
Numero di Parte
SIR610DP-T1-RE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8Inventario
23300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
Acquisto e richiesta
Garanzia & Resi
Come Ordinare
Spedizione e Consegna
Assicurazione Qualità
365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.
Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.
Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.
Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro
Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi
Imballaggio Antistatico ESD al 100%
Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine
Pagamento Sicuro e Flessibile
Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora
Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza
SIR610DP-T1-RE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
ThunderFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1380 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR610
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR610DP
Scheda Dati HTML
SIR610DP-T1-RE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR610DP-T1-RE3CT
SIR610DP-T1-RE3DKR
SIR610DP-T1-RE3TR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
店家的價格一向很實惠，我經常在這裡買日常用品。
dicembre 02, 2025
Très satisfait de la rapidité de livraison et de la sécurité de l'emballage. Excellent service.
dicembre 02, 2025
Shopping at DiGi Electronics offers great value with no fuss.
dicembre 02, 2025
DiGi Electronics consistently provides affordable options with great usability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali applicazioni del MOSFET Vishay SIR610DP-T1-RE3 N-Channel?
Il Vishay SIR610DP-T1-RE3 è ideale per commutazioni di potenza, controllo di motori e switching di carichi in diversi dispositivi elettronici grazie alla sua alta capacità di corrente e alla sua tensione di alimentazione.
Il Vishay SIR610DP-T1-RE3 è compatibile con i progetti standard di PCB a montaggio superficie?
Sì, questo MOSFET è progettato con un package PowerPAK® SO-8, rendendolo adatto per l'integrazione su PCB a montaggio superficie standard per un'assemblaggio efficiente e ottimale gestione termica.
Quali sono le principali caratteristiche elettriche di questo MOSFET di potenza?
Questo MOSFET presenta una tensione drain-source di 200V, una corrente continua drain di 35,4A a 25°C e un Rds On massimo di 31,9mOhm a 10V Vgs, rendendolo idoneo per applicazioni ad alta corrente.
Come si comporta il Vishay SIR610DP-T1-RE3 in termini di dissipazione termica?
Può dissipare fino a 104W alla massima temperatura di giunzione, garantendo un funzionamento affidabile in circuiti ad alta potenza all’interno della gamma di temperature operative da -55°C a 150°C.
È possibile acquistare il Vishay SIR610DP-T1-RE3 in grandi quantità e qual è lo stock attuale?
Sì, questo MOSFET è disponibile in magazzino con circa 19.077 unità, ideale per approvvigionamenti all'ingrosso o progetti su larga scala, ed è conforme alle normative RoHS3 per la sicurezza ambientale.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR610DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
