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SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
7463 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR606BDP-T1-RE3
Panoramica del prodotto
12786743
Numero di Parte
SIR606BDP-T1-RE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR606BDP-T1-RE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAKInventario
7463 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR606BDP-T1-RE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1470 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR606
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR606BDP
Scheda Dati HTML
SIR606BDP-T1-RE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR606BDP-T1-RE3CT
SIR606BDP-T1-RE3TR
SIR606BDP-T1-RE3DKR
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SIR606BDP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
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