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SIR516DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
500100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3

Panoramica del prodotto

12968163

Numero di Parte

SIR516DP-T1-RE3-DG
SIR516DP-T1-RE3

Descrizione

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Inventario

500100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie TrenchFET®

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1920 pF @ 50 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 71.4W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

SIR516DP-T1-RE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
RS6P100BHTB1
Rohm Semiconductor
3729
RS6P100BHTB1-DG
1.3450
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3?

Il Vishay SIR516DP-T1-RE3 è un MOSFET a canale N con montaggio superficiale, con una tensione di 100V e una corrente continua di drain di 16,8A a 25°C. Presenta un Rds On basso di 8mΩ a 10A, rendendolo adatto per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza. Il dispositivo è confezionato in PowerPAK® SO-8, facilitando il montaggio superficiale e la dissipasione termica.

Per quali applicazioni è adatto questo MOSFET da 100V?

Questo MOSFET a canale N da 100V è ideale per la gestione dell’energia, alimentatori switching, controllo di motori e altri circuiti elettronici ad alta corrente che richiedono commutazioni efficienti e produzione di calore contenuta. La sua elevata capacità di corrente lo rende perfetto per applicazioni di potenza esigenti.

Il Vishay SIR516DP-T1-RE3 è compatibile con i progetti standard di PCB?

Sì, il dispositivo è confezionato in PowerPAK® SO-8, un package comunemente utilizzato per il montaggio superficiale, compatibile con i layout standard di PCB. È progettato per un'integrazione semplice sia in circuiti esistenti che in nuovi progetti.

Quali sono i vantaggi di usare questo MOSFET rispetto ai transistor al silicio tradizionali?

Questo MOSFET offre Rds On inferiore, maggiore efficienza e migliori prestazioni di commutazione rispetto ai transistor al silicio tradizionali. La sua bassa carica di gate e alta capacità di corrente contribuiscono a ridurre le perdite di potenza e le esigenze di gestione termica.

Come posso acquistare e ottenere supporto per il MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3?

Il Vishay SIR516DP-T1-RE3 è disponibile in stock presso distributori in tutto il mondo. Per supporto tecnico o richieste di garanzia, contattare i rivenditori autorizzati Vishay o consultare il datasheet del prodotto per specifiche dettagliate e istruzioni di utilizzo.

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