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SIR496DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
1650 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR496DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786505
Numero di Parte
SIR496DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR496DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8Inventario
1650 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR496DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1570 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR496
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR496DP
Scheda Dati HTML
SIR496DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR496DP-T1-GE3CT
Q6936817FH
SIR496DP-T1-GE3TR
SIR496DPT1GE3
SIR496DP-T1-GE3DKR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIR496DP T1 G E3?
Il Vishay SIR496DP T1 G E3 è un MOSFET di potenza a canale N con una tensione di 20V e una corrente di drenaggio continua di 35A, adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente. Presenta un package PowerPAK SO-8 con bassa Rds On per una conduzione efficiente dell'energia e funziona in un intervallo di temperature da -55°C a 150°C.
Il MOSFET Vishay SIR496DP T1 G E3 è compatibile con tensioni di gate a bassa soglia?
Sì, questo MOSFET può essere pilotato con una tensione massima di 10V Vgs per prestazioni ottimali di Rds On, rendendolo compatibile con driver di gate logic-level comuni in vari circuiti elettronici.
Quali sono gli usi più comuni del MOSFET N-channel Vishay SIR496DP T1 G E3?
Questo MOSFET è ideale per la gestione dell'energia, il controllo di motori e applicazioni di switching in cui sono richiesti alta capacità di corrente e basse perdite di conduzione, soprattutto in design compatti a montaggio superficiale.
Posso utilizzare il MOSFET Vishay SIR496DP T1 G E3 in ambienti ad alta temperatura?
Sì, è progettato per operare in modo affidabile fino a una temperatura di giunzione di 150°C, rendendolo adatto per applicazioni industriali e di elettronica di potenza ad alta temperatura.
In che modo lo status di obsolescenza influisce sull'acquisto di questo MOSFET Vishay e ci sono alternative valide?
Dato che questo modello è contrassegnato come obsoleto, è consigliabile verificare la disponibilità presso i fornitori o considerare MOSFET alternativi con specifiche simili, come il BSC046N02KSGAUMA1 o il SIR410DP T1 G E3.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR496DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR496DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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