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SIR474DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
86693 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR474DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786693
Numero di Parte
SIR474DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR474DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8Inventario
86693 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR474DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
985 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR474
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR474DP
Scheda Dati HTML
SIR474DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR474DP-T1-GE3TR
SIR474DP-T1-GE3DKR
SIR474DP-T1-GE3-DG
SIR474DP-T1-GE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
I am consistently satisfied with their after-sales support.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIR474DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR474DP-T1-GE3 è un MOSFET a canale N con una tensione nominale di 30V e una corrente continua di Drain di 20A. Presenta un package PowerPAK® SO-8, una bassa Rds On (9,5 mΩ) ed è adatto per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
Il Vishay SIR474DP-T1-GE3 è compatibile con i componenti elettronici comuni?
Sì, questo MOSFET è compatibile con i progetti standard di PCB a montaggio superficiale e può essere pilotato con una tensione di gate massima di 10V. È adatto per l'uso in diverse circuitazioni di gestione dell'energia e di commutazione.
Quali sono le applicazioni tipiche del MOSFET Vishay SIR474DP-T1-GE3?
Questo MOSFET è ideale per alimentatori, controllo motori, illuminazione a LED e altre applicazioni di commutazione ad alta corrente che richiedono trasferimento di potenza efficiente e operazioni affidabili.
Come si comporta il Vishay SIR474DP-T1-GE3 a temperature elevate?
Il MOSFET può operare in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, con una capacità di dissipazione di potenza fino a 29,8W a temperatura del case, garantendo prestazioni affidabili in ambienti esigenti.
Qual è la garanzia e il supporto post-vendita per il MOSFET Vishay SIR474DP-T1-GE3?
In qualità di prodotto originale Vishay nuovo, è coperto da garanzie standard del produttore ed è disponibile per acquisto immediato da magazzino. Per supporto post-vendita dettagliato, si prega di contattare fornitori autorizzati o direttamente Vishay.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR474DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR474DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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