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SIR472DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
24175 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR472DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786733
Numero di Parte
SIR472DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR472DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8Inventario
24175 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR472DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
820 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR472
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR472DP
Scheda Dati HTML
SIR472DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR472DP-T1-GE3DKR
SIR472DPT1GE3
SIR472DP-T1-GE3TR
SIR472DP-T1-GE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e specifiche del MOSFET Vishay SIR472DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR472DP-T1-GE3 è un MOSFET di potenza a canale N con una tensione drain-source di 30V e una corrente di drain continua di 20A. Presenta un package Surface-mount PowerPAK® SO-8, una bassa Rds(on) di 12mΩ a 13,8A/10V ed è ideale per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza.
Quali sono gli utilizzi e le applicazioni tipiche di questo MOSFET di potenza?
Questo MOSFET è ideale per la gestione dell'energia, il controllo dei motori e le applicazioni di commutazione dove sono richiesti alta efficienza e velocità di commutazione, come nell'elettronica automotive, elettrodomestici e sistemi industriali.
Il Vishay SIR472DP-T1-GE3 è compatibile con tensioni di gate standard?
Sì, il MOSFET può essere pilotato con una tensione di gate massima (Vgs) di ±20V e una tensione di pilotaggio raccomandata tra 4,5V e 10V, rendendolo compatibile con livelli di logica e alimentazione standard per un funzionamento efficiente.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del package PowerPAK® SO-8 per questo MOSFET?
Il package PowerPAK® SO-8 offre ottime performance termiche e un design compatto surface-mount, garantendo una dissipazione del calore efficace e una facile installazione in dispositivi elettronici di dimensioni contenute, migliorando affidabilità e prestazioni complessive del dispositivo.
Il Vishay SIR472DP-T1-GE3 è adatto a ambienti ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET può operare in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C (TJ), consentendogli di funzionare in modo affidabile anche in ambienti ad alta temperatura tipicamente presenti in applicazioni industriali e automobilistiche.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR472DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR472DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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