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SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
44400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR470DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787694
Numero di Parte
SIR470DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR470DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Inventario
44400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR470DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5660 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR470
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR470DP
Scheda Dati HTML
SIR470DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR470DP-T1-GE3CT
SIR470DP-T1-GE3DKR
SIR470DP-T1-GE3TR
SIR470DPT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
Leurs services après-vente sont rapides et toujours très agréables.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIR470DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR470DP-T1-GE3 è un MOSFET a canale N ad alte prestazioni, con una tensione di drain-source massima di 40V e una corrente continua di 60A, progettato per un'efficiente commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale.
Il Vishay SIR470DP-T1-GE3 è adatto per circuiti di alimentazione ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è ideale per applicazioni ad alta corrente, capace di gestire fino a 60A a 25°C, rendendolo perfetto per la gestione dell'alimentazione e lo switch di carico in diversi dispositivi elettronici.
Quali sono i requisiti di compatibilità e tensione di pilotaggio per questo MOSFET?
Il dispositivo funziona in modo efficace con una tensione di pilotaggio della Gate tra 4,5V e 10V, con un Rds On basso di 2,3 mOhm a 20A e 10V di Vgs, garantendo un funzionamento efficiente con driver compatibili.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del package PowerPAK SO-8 per questo MOSFET?
Il package PowerPAK SO-8 offre un'eccellente prestazione termica e un montaggio superficiale compatto, migliorando l'affidabilità e consentendo una dissipazione del calore efficace nel design delle schede PCB.
Il Vishay SIR470DP-T1-GE3 rispetta gli standard ambientali e di sicurezza?
Sì, questo MOSFET è conforme a RoHS3, non è influenzato da REACH e ha un livello di sensibilità all'umidità di 1, garantendo il rispetto degli standard industriali di sicurezza e sostenibilità ambientale.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR470DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR470DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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