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SIR466DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
15268 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR466DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786270
Numero di Parte
SIR466DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR466DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Inventario
15268 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR466DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2730 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR466
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR466DP
Scheda Dati HTML
SIR466DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR466DP-T1-GE3TR
SIR466DP-T1-GE3CT
SIR466DPT1GE3
SIR466DP-T1-GE3DKR
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali e le specifiche del MOSFET Vishay SIR466DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR466DP-T1-GE3 è un MOSFET di potenza a canale N con una tensione nominale di 30V e una corrente di drain continua di 40A. Presenta una resistenza Rds(on) molto bassa di 3,5mΩ a 15A/10V ed è pensato per applicazioni a montaggio superficiale con package PowerPAK® SO-8, che supporta elevate dissipationi di potenza e ampi intervalli di temperatura.
Come posso utilizzare il MOSFET Vishay SIR466DP-T1-GE3 nei miei progetti o circuiti elettronici?
Questo MOSFET è ideale per applicazioni di commutazione ad alta efficienza, come alimentatori, controllori di motori e circuiti di switching di carico. La sua bassa Rds(on) garantisce perdite di conduzione minime, migliorando le prestazioni complessive del sistema.
Il Vishay SIR466DP-T1-GE3 è compatibile con circuiti di alimentazione e driver standard?
Sì, il MOSFET può essere pilotato con tensioni di gate tra 4,5V e 10V, rendendolo compatibile con i livelli logici comunemente usati in molte applicazioni di gestione dell’alimentazione e controllo.
Quali sono i vantaggi di scegliere il package PowerPAK® SO-8 per questo MOSFET?
Il PowerPAK® SO-8 offre un'eccezionale dissipazione di potenza e prestazioni termiche, consentendo una maggiore capacità di corrente e una maggiore affidabilità in un ingombro compatto a montaggio superficiale, ideale per layout di PCB densi.
Quali opzioni di supporto e garanzia sono disponibili all’acquisto del MOSFET Vishay SIR466DP-T1-GE3?
Questo prodotto è disponibile a magazzino ed è fornito da un produttore affidabile, Vishay, con garanzie e supporto standard del produttore. È conforme alle normative RoHS3 ed è adatto per applicazioni professionali e commerciali.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR466DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR466DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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