Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
Verifica delle prestazioni elettriche
Email di servizio:
[email protected]
>
SIR424DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
2256 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Richiedi preventivo
(Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
Minimo 1
5.0 / 5.0
- (129 Valutazioni)
SIR424DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786268
Numero di Parte
SIR424DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR424DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8Inventario
2256 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
Acquisto e richiesta
Garanzia & Resi
Come Ordinare
Spedizione e Consegna
Assicurazione Qualità
365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.
Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.
Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.
Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro
Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi
Imballaggio Antistatico ESD al 100%
Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine
Pagamento Sicuro e Flessibile
Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora
Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza
SIR424DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1250 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR424
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR424DP
Scheda Dati HTML
SIR424DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR424DP-T1-GE3CT
SIR424DP-T1-GE3TR
SIR424DP-T1-GE3DKR
SIR424DP-T1-GE3-DG
SIR424DPT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
La livraison est toujours conforme à mes attentes, très rapide et bien emballée.
dicembre 02, 2025
Outstanding professionalism from the customer service team.
dicembre 02, 2025
Always satisfied with how quickly I receive my orders and how affordable they are.
dicembre 02, 2025
Their team’s professionalism is apparent in every interaction.
dicembre 02, 2025
DiGi Electronics consistently demonstrates exceptional logistics efficiency, ensuring prompt delivery every time.
dicembre 02, 2025
The cost-effectiveness of their offerings is impressive and adds to my positive experience.
dicembre 02, 2025
On-time delivery is a hallmark of Di Digi Electronics' service excellence.
dicembre 02, 2025
Impressed with their consistent on-time deliveries, which is crucial for my project planning.
dicembre 02, 2025
The company's focus on secure packaging guarantees that goods arrive intact every time.
dicembre 02, 2025
DiGi Electronics provides exceptional quality that surpasses many competitors.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-channel Vishay SIR424DP-T1-GE3?
Il MOSFET Vishay SIR424DP-T1-GE3 è un componente ad alte prestazioni con tensione drain-source di 20V, corrente continua di 30A e Rds On ridotto di 5,5mΩ. È dotato di un package PowerPAK® SO-8, adatto per applicazioni a montaggio superficiale, e funziona in un intervallo di temperatures tra -55°C e 150°C.
Il MOSFET Vishay SIR424DP-T1-GE3 è adatto per circuiti di commutazione di potenza?
Sì, questo MOSFET è progettato per applicazioni di commutazione di potenza, grazie alla sua elevata capacità di corrente, basso Rds On e un’efficiente dissipazione di energia, rendendolo ideale per la gestione dell’energia in diversi sistemi elettronici.
Cosa rende il MOSFET Vishay SIR424DP-T1-GE3 compatibile con l'elettronica moderna?
La sua compatibilità deriva dal basso carico di gate (35 nC), dal Rds On ridotto e dalle opzioni di tensione di pilotaggio doppio (4,5V e 10V), che permettono un funzionamento efficiente con circuiti a tensione di pilotaggio standard e ad alta tensione nella moderna elettronica.
È possibile utilizzare il MOSFET Vishay SIR424DP-T1-GE3 in ambienti ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET è classificato per un intervallo di temperatura operativa fino a 150°C (TJ), rendendolo adatto per ambienti ad alta temperatura dove è richiesta una performance affidabile.
Qual è la garanzia e l’assistenza post-vendita per il MOSFET Vishay SIR424DP-T1-GE3?
In quanto prodotto nuovo e originale disponibile in magazzino, viene fornito con la garanzia standard del produttore e supporto tecnico. Per dettagli sulla politica di assistenza post-vendita, si consiglia di consultare il proprio fornitore.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR424DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR424DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
