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SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
17100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 40A (Tc) 5W (Ta), 34.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR422DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786519
Numero di Parte
SIR422DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR422DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8Inventario
17100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 40A (Tc) 5W (Ta), 34.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR422DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1785 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 34.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR422
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR422DP
Scheda Dati HTML
SIR422DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR422DP-T1-GE3CT
SIR422DP-T1-GE3-DG
SIR422DP-T1-GE3TR
SIR422DPT1GE3
SIR422DP-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
디지 일렉트로닉스에서 구매한 후, 고객센터의 친절한 상담과 신속한 사후 서비스에 매우 만족합니다. 어떤 문제도 빠르게 해결해주셔서 믿음이 가네요.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR422DP-T1-GE3 è un MOSFET a canale N con una tensione massima di drain-source di 40V, una corrente di drain continua di 40A e un basso Rds On di 6,6 mΩ a 20A e 10V. È dotato di un package PowerPAK® SO-8 ed è adatto per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Il MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3 è compatibile con tensioni di pilotaggio del gate di 4,5V e 10V?
Sì, questo MOSFET supporta una tensione di pilotaggio massima di 10V e una tensione di soglia minima di 2,5V, garantendo compatibilità con driver a basso voltaggio e prestazioni di commutazione efficienti.
Per quali applicazioni sono adatti i MOSFET Vishay PowerPAK SO-8 come SIR422DP-T1-GE3?
Questi MOSFET sono ideali per la gestione dell'energia, il controllo dei motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni di commutazione ad alta corrente grazie alla loro elevata capacità di corrente e alle basse caratteristiche Rds On.
Il MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3 è conforme alle normative RoHS e qual è lo stato di affidabilità?
Sì, il SIR422DP-T1-GE3 è conforme alla normativa RoHS3, garantendo il rispetto degli standard ambientali, ed è classificato come prodotto atto all’uso, nuovo e originale, con un elevato livello di scorte per una fornitura affidabile.
Quali sono i vantaggi di scegliere il MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3 per il mio progetto di circuito?
Questo MOSFET offre un basso Rds On, elevata capacità di corrente, package in superficie compatto e ottime prestazioni termiche, contribuendo a migliorare l'efficienza e ridurre le dimensioni del sistema nei tuoi progetti elettronici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR422DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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