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SIR418DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
4753 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR418DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787111
Numero di Parte
SIR418DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR418DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8Inventario
4753 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR418DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2410 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR418
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR418DP
Scheda Dati HTML
SIR418DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR418DP-T1-GE3TR
SIR418DP-T1-GE3CT
SIR418DP-T1-GE3-DG
SIR418DP-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è la funzione principale del MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3?
Il MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3 è un dispositivo a canale N ad alte prestazioni, progettato per applicazioni di commutazione e gestione dell'energia, offrendo un controllo efficiente del flusso di potenza nei circuiti elettronici.
Il MOSFET SIR418DP-T1-GE3 è compatibile con dispositivi elettronici comuni?
Sì, questo MOSFET è adatto a una vasta gamma di dispositivi elettronici che richiedono una commutazione efficiente dell'energia, come driver per motori, alimentatori e elettronica consumer, grazie alle sue elevate capacità di corrente e tensione.
Quali sono le caratteristiche e i vantaggi principali di questo MOSFET PowerPAK SO-8?
Questo MOSFET presenta una bassa resistenza Rds On (fino a 5 mΩ a 20A e 10V), un'altra alta capacità di corrente (40A) e un package compatto per montaggio superficiale, offrendo alta efficienza e facilità di integrazione in vari design elettronici.
A cosa prestare attenzione quando si utilizza il MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3 nel circuito?
Assicurarsi che la tensione e la corrente operative non superino i valori massimi (40V, 40A) e verificare che la tensione di pilotaggio (da 4,5V a 10V) sia adeguata alla propria applicazione per ottenere le migliori prestazioni di Rds On.
Il MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3 è coperto da garanzia o supporto?
Come prodotto nuovo e originale, è generalmente coperto da garanzia del produttore e canali di acquisto ufficiali; si consiglia di consultare il proprio fornitore per dettagli specifici sulla garanzia e sul supporto post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR418DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR418DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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