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SIR401DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
21325 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR401DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787494
Numero di Parte
SIR401DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR401DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8Inventario
21325 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR401DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9080 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR401
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR401DP-T1-GE3
Scheda Dati HTML
SIR401DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR401DP-T1-GE3-DG
SIR401DP-T1-GE3TR
SIR401DP-T1-GE3DKR
SIR401DP-T1-GE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET P-Channel Vishay SIR401DP-T1-GE3?
Questo MOSFET P-Channel offre una tensione drain-to-source di 20V, una corrente continua di drain di 50A e un basso Rds On di 3,2mΩ a 15A, rendendolo adatto per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza. È fornito in un package PowerPAK SO-8 montato su superficie, per un'installazione semplice e rapida.
Il MOSFET Vishay SIR401DP-T1-GE3 è compatibile con circuiti standard?
Sì, questo MOSFET è compatibile con circuiti elettronici standard e supporta tensioni di pilotaggio fino a 10V. Il suo package PowerPAK SO-8 montato su superficie è molto utilizzato in diversi dispositivi di gestione dell'energia.
Quali vantaggi offre la tecnologia TrenchFET® in questo MOSFET?
La tecnologia TrenchFET® riduce il Rds On e migliora l'efficienza, garantendo commutazioni rapide e una minore produzione di calore. Questo si traduce in prestazioni più elevate e minor perdita energetica nelle applicazioni di alimentazione.
Posso utilizzare il Vishay SIR401DP-T1-GE3 in ambienti ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET è in grado di operare a temperature comprese tra -55°C e 150°C, rendendolo adatto per condizioni ad alta temperatura in settori industriali e automotive.
Che tipo di supporto e garanzia offre questo prodotto?
In quanto prodotto nuovo e originale, il Vishay SIR401DP-T1-GE3 è disponibile in grandi quantità e generalmente coperto da garanzie standard del produttore. Per supporto specifico, si consiglia di consultare le politiche del distributore o del fornitore.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR401DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR401DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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