SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR186LDP-T1-RE3

Panoramica del prodotto

12987949

Numero di Parte

SIR186LDP-T1-RE3-DG
SIR186LDP-T1-RE3

Descrizione

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

Inventario

25615 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 3000 0.3600 1091.4800
  • 6000 0.3500 2101.8500
  • 9000 0.3300 3007.3000
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SIR186LDP-T1-RE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1980 pF @ 30 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SIR186LDP

Scheda Dati HTML

SIR186LDP-T1-RE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SIR186LDP-T1-RE3CT
742-SIR186LDP-T1-RE3DKR
742-SIR186LDP-T1-RE3TR
Certificazione DIGI
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