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SIR186LDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
30548 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR186LDP-T1-RE3

Panoramica del prodotto

12987949

Numero di Parte

SIR186LDP-T1-RE3-DG
SIR186LDP-T1-RE3

Descrizione

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

Inventario

30548 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR186LDP-T1-RE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1980 pF @ 30 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SIR186LDP

Scheda Dati HTML

SIR186LDP-T1-RE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SIR186LDP-T1-RE3CT
742-SIR186LDP-T1-RE3DKR
742-SIR186LDP-T1-RE3TR

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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIR186LDP-T1-RE3?

Il Vishay SIR186LDP-T1-RE3 è un MOSFET N-Channel ad alte prestazioni con una tensione drain-sorgente di 60V, una corrente continua di 23,8A a 25°C e un Rds on di 4,4 mΩ. È dotato di un pacchetto PowerPAK® SO-8, adatto per applicazioni a montaggio superficiale, con eccellenti caratteristiche termiche ed elettriche.

Il Vishay SIR186LDP-T1-RE3 è adatto per applicazioni di commutazione di potenza?

Sì, questo MOSFET è progettato per la commutazione di potenza e la gestione del carico grazie alla sua alta capacità di corrente, al basso Rds on e alle prestazioni termiche affidabili. È ideale per alimentatori, controllo motori e altri circuiti di commutazione ad alta frequenza.

Quali sono i requisiti di compatibilità e tensione di drive per questo MOSFET?

Questo MOSFET può essere pilotato con una tensione Vgs massima di 10V, con una tensione di pilotaggio raccomandata tra 4,5V e 10V. Supporta la compatibilità con circuiti driver MOSFET standard e offre una carica di gate bassa di 48 nC a 10V per una commutazione efficiente.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo dei MOSFET della serie TrenchFET® Gen IV di Vishay?

La serie TrenchFET® Gen IV offre Rds on più basso, maggiore capacità di gestione della corrente e prestazioni termiche migliorate. La sua tecnologia a trincea avanzata garantisce un commutamento di potenza efficiente con ridotte perdite di conduzione, rendendola adatta per applicazioni elettroniche moderne ad alta corrente.

Il MOSFET Vishay SIR186LDP-T1-RE3 è supportato da assistenza affidabile e rispetta le normative?

Sì, questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3, non influenzato da REACH e dotato di un pacchetto PowerPAK® SO-8 compatibile RoHS, garantendo sicurezza, responsabilità ambientale e prestazioni affidabili, adatte per varie applicazioni industriali.

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

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Prevenzione di contraffazione e difetti

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Ispezione visiva e di confezionamento

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