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SIR172DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
94700 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR172DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786991
Numero di Parte
SIR172DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR172DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8Inventario
94700 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR172DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 16.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
997 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
29.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR172
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR172DP
Scheda Dati HTML
SIR172DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR172DP-T1-GE3DKR
SIR172DP-T1-GE3TR
SIR172DP-T1-GE3CT
SIR172DP-T1-GE3-DG
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIR172DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR172DP-T1-GE3 è un MOSFET a canale N con una tensione massima drain-source di 30V, una corrente continua di drain di 20A e una bassa Rds On di 8,9mΩ, adatto per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.
Il MOSFET Vishay SIR172DP-T1-GE3 è compatibile con i design standard di circuiti stampati a montaggio superficiale?
Sì, questo MOSFET utilizza un package PowerPAK SO-8, rendendolo compatibile con montaggio su circuiti stampati a superficie, per un'integrazione semplice in vari dispositivi elettronici.
Il MOSFET Vishay SIR172DP-T1-GE3 può operare a temperature elevate?
Sì, supporta un ampio intervallo di temperature operative da -55°C a 150°C, garantendo una performance affidabile anche in ambienti impegnativi.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET a canale N?
Questo MOSFET è ideale per la gestione dell’energia, il controllo dei motori, alimentatori switching e altri circuiti elettronici ad alta corrente che richiedono commutazioni efficienti.
Il Vishay SIR172DP-T1-GE3 è adatto per nuovi progetti o è dismesso?
Pur essendo un prodotto classificato come obsoleto, rimane disponibile in grandi quantità e può essere utilizzato come pezzo di ricambio o per riparazioni, disponibile presso fornitori autorizzati.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR172DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR172DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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