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SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
23005 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR166DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786619
Numero di Parte
SIR166DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR166DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Inventario
23005 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR166DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3340 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR166
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR166DP
Scheda Dati HTML
SIR166DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR166DP-T1-GE3DKR-DG
742-SIR166DP-T1-GE3DKR
SIR166DPT1GE3
SIR166DP-T1-GE3CT
742-SIR166DP-T1-GE3CT
SIR166DP-T1-GE3TR-DG
SIR166DP-T1-GE3TR
742-SIR166DP-T1-GE3TR
SIR166DP-T1-GE3DKR
SIR166DP-T1-GE3CT-DG
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIR166DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR166DP-T1-GE3 è un MOSFET N-Channel ad alte prestazioni con una tensione di drain-to-source di 30V, una corrente continua di 40A e una resistenza Rds On di 3,2 milliohm. È dotato di un package Surface Mount PowerPAK® SO-8, ottimizzato per una gestione efficiente dell'energia e un design compatto.
Questo MOSFET Vishay SIR166DP-T1-GE3 è adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è progettato per applicazioni di commutazione ad alta corrente, in grado di gestire fino a 40A a 25°C, rendendolo ideale per alimentatori, controllo motori e altri circuiti elettronici esigenti che richiedono commutazioni efficienti.
Quali sono le compatibilità e le gamme di tensione operative di questo MOSFET?
Il dispositivo funziona con una tensione drain-source di 30V e può essere controllato con tensioni di gate comprese tra 4,5V e 10V. È compatibile con circuiti di pilotaggio standard per MOSFET e opera efficacemente in un intervallo di temperatura di funzionamento tra -55°C e 150°C.
Quali vantaggi offre il package PowerPAK® SO-8 per questo MOSFET?
Il package PowerPAK® SO-8 garantisce un'eccellente isolamento termico, dimensioni compatte e una montabilità affidabile sulla superficie, migliorando la dissipazione termica e semplificando l'assemblaggio in dispositivi elettronici.
Come posso acquistare questo MOSFET e quali sono le opzioni di supporto post-vendita disponibili?
Questo MOSFET è disponibile in confezioni tape and reel per una facile produzione, con oltre 18.000 unità disponibili in magazzino. Per supporto post-vendita e assistenza tecnica, contatta il tuo distributore Vishay autorizzato o il rivenditore di fiducia per assicurarti un uso corretto e servizi di garanzia.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR166DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR166DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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