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SIR164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
65200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR164DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786971
Numero di Parte
SIR164DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR164DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Inventario
65200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR164DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3950 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR164
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIR164DP
Scheda Dati HTML
SIR164DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR164DP-T1-GE3TR
SIR164DP-T1-GE3CT
SIR164DP-T1-GE3DKR
SIR164DPT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIR164DP-T1-GE3?
Il Vishay SIR164DP-T1-GE3 è un MOSFET N-Channel ad alte prestazioni, con una tensione drain-source di 30V e una corrente continua di drain di 50A, progettato per uno switch di potenza efficiente nelle applicazioni a montaggio superficiale. Presenta una bassa Rds(on), un robusto dissipatore di potenza e compatibilità con tensioni di pilotaggio standard, rendendolo adatto a diversi circuiti ad alta potenza.
È possibile utilizzare il MOSFET Vishay SIR164DP-T1-GE3 in ambienti a temperatura elevata?
Sì, questo MOSFET funziona in modo affidabile in un intervallo di temperatura che va da -55°C a 150°C (TJ), garantendo prestazioni stabili in condizioni di alta temperatura tipiche delle applicazioni di elettronica di potenza e automotive.
Il MOSFET Vishay SIR164DP-T1-GE3 è compatibile con i processi di saldatura standard?
Assolutamente sì, questo package PowerPAK® SO-8 è progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, rendendolo compatibile con i metodi di assemblaggio SMT standard, assicurando una produzione affidabile ed efficiente.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET?
Questo MOSFET N-Channel è ideale per usi nella gestione dell’energia, controllo dei motori, regolatori switching e altre applicazioni che richiedono elevate correnti di commutazione grazie alla sua bassa Rds(on) e alta capacità di corrente.
Come posso acquistare il MOSFET Vishay SIR164DP-T1-GE3 e qual è lo stato di disponibilità?
Il Vishay SIR164DP-T1-GE3 è disponibile per l’acquisto in quantità di 60.855 pezzi, contenuti in confezioni tape and reel. È un componente nuovo, originale e attivo, pronto per una consegna rapida.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR164DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR164DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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