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SIR112DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
3553 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR112DP-T1-RE3

Panoramica del prodotto

12787538

Numero di Parte

SIR112DP-T1-RE3-DG
SIR112DP-T1-RE3

Descrizione

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

Inventario

3553 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 1 1.7161 1.7161
  • 10 1.4560 14.5600
  • 30 1.2929 38.7870
  • 100 1.1270 112.7000
  • 500 1.0506 525.3000
  • 1000 1.0182 1018.2000
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SIR112DP-T1-RE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 40 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 37.6A (Ta), 133A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.96mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V

Vgs (massimo) +20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 4270 pF @ 20 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 62.5W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8

Numero di prodotto di base SIR112

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SIR112DP

Scheda Dati HTML

SIR112DP-T1-RE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
RS3L045GNGZETB
Rohm Semiconductor
2185
RS3L045GNGZETB-DG
0.2493
MFR Recommended
RS6G120BGTB1
Rohm Semiconductor
3107
RS6G120BGTB1-DG
0.5749
MFR Recommended
RQ3G100GNTB
Rohm Semiconductor
34650
RQ3G100GNTB-DG
0.1393
MFR Recommended
RS1G150MNTB
Rohm Semiconductor
15833
RS1G150MNTB-DG
0.3255
MFR Recommended
RQ3E180GNTB
Rohm Semiconductor
38617
RQ3E180GNTB-DG
0.2102
MFR Recommended

Reviews

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Glüc***lanet
dicembre 02, 2025
5.0
Die Kombination aus Erschwinglichkeit und Zuverlässigkeit ist bei DiGi Electronics einfach hervorragend.
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
5.0
Fast response times from support staff made resolving issues stress-free.
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dicembre 02, 2025
5.0
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dicembre 02, 2025
5.0
I am impressed by their swift shipping and professional customer service.
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIR112DP-T1-RE3?

Il Vishay SIR112DP-T1-RE3 è un MOSFET a canale N di potenza con una tensione di soglia di 40V e una corrente di drain continua di 37,6A (ambiente) e 133A (case). È dotato di package PowerPAK® SO-8, basso Rds On (1,96 mΩ a 10A, 10V) e elevate capacità di dissipazione di potenza, rendendolo adatto alle applicazioni ad alta corrente.

Per quali applicazioni è adatto questo MOSFET?

Questo MOSFET è ideale per commutazione di potenza, controllo motori e convertitori DC-DC grazie alla sua elevata capacità di corrente, al basso Rds On e all’ampio intervallo di temperatura di esercizio, da -55°C a 150°C. Il suo design compatto a montaggio superficiale lo rende inoltre ideale per dispositivi elettronici che richiedono spazio ridotto.

Il Vishay SIR112DP-T1-RE3 è compatibile con i layout standard per PCB?

Sì, il package PowerPAK® SO-8 è progettato per l’assemblaggio su circuiti stampati a montaggio superficiale, garantendo facile integrazione con i processi di produzione standard e compatibilità con i pattern di footprint più comuni per un’installazione efficiente.

Quali sono i vantaggi di utilizzare questo MOSFET rispetto ad altri?

Questo MOSFET offre un basso Rds On per un’alta efficienza, robuste capacità di dissipazione di potenza e un ampio intervallo di tensione e temperatura, garantendo prestazioni affidabili in applicazioni elettroniche complesse. La sua conformità alla norma RoHS3 assicura anche il rispetto degli standard ambientali.

Quali opzioni di supporto e garanzia sono disponibili per il Vishay SIR112DP-T1-RE3?

Questo prodotto è disponibile in stock, venduto come nuovo, con garanzie del produttore e supporto da parte di distributori autorizzati. Schede tecniche e datasheet sono disponibili per facilitare l’integrazione e la risoluzione di eventuali problemi.

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

Assicurazione Qualità
Prevenzione di contraffazione e difetti

Prevenzione di contraffazione e difetti

Screening completo per identificare componenti contraffatti, ricondizionati o difettosi, garantendo che vengano consegnati solo pezzi autentici e conformi.

Ispezione visiva e di confezionamento

Ispezione visiva e di confezionamento

Verifica delle prestazioni elettriche

Verifica dell'aspetto dei componenti, marcature, codici di data, integrità dell'imballaggio e coerenza delle etichette per garantire tracciabilità e conformità.

Valutazione della vita e dell'affidabilità

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