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SIHP30N60E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
3200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
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SIHP30N60E-GE3
Panoramica del prodotto
12787728
Numero di Parte
SIHP30N60E-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHP30N60E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 29A TO220ABInventario
3200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
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SIHP30N60E-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
E
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2600 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
SIHP30
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiHP30N60E
Scheda Dati HTML
SIHP30N60E-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SIHP30N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP30N60E-GE3DKR-DG
SIHP30N60E-GE3TR
SIHP30N60E-GE3TR-DG
SIHP30N60E-GE3CT-DG
SIHP30N60E-GE3DKR
SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3DKRINACTIVE
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIHP30N60E-GE3?
Il Vishay SIHP30N60E-GE3 è un MOSFET a canale N con una tensione di carico di 600V e una corrente di drenaggio continua di 29A. Presenta un package TO-220AB, una resistenza Rds On bassa di 125mΩ a 15A e 10V, e supporta una dissipazione di potenza elevata fino a 250W. È adatto per applicazioni di commutazione ad alta tensione.
Il MOSFET Vishay SIHP30N60E-GE3 è compatibile con i dispositivi elettronici più comuni?
Sì, questo MOSFET è compatibile con diversi circuiti di alimentazione e commutazione che richiedono elevate capacità di tensione e corrente. Il suo design through-hole ne facilita l'integrazione in applicazioni come convertitori di potenza, driver per motori e attrezzature industriali.
Qual è la massima corrente di drenaggio continuo e la tensione drain-source di questo MOSFET?
Il Vishay SIHP30N60E-GE3 supporta una tensione drain-source massima di 600V e una corrente di drenaggio continua massima di 29A a 25°C, rendendolo adatto per applicazioni ad alta tensione e alta corrente.
Quali sono i benefici specifici dell’utilizzo del MOSFET Vishay SIHP30N60E-GE3 nel mio progetto?
Questo MOSFET offre una bassa Rds On per uno switching efficiente, elevati rating di tensione e corrente, e prestazioni affidabili su un’ampia gamma di temperature. Il suo package TO-220AB permette un facile montaggio e una gestione termica ottimale, migliorando la stabilità complessiva del dispositivo.
Come posso acquistarlo e qual è la garanzia o il supporto disponibile per il Vishay SIHP30N60E-GE3?
Il Vishay SIHP30N60E-GE3 è disponibile a magazzino, con oltre 3.500 unità pronte per la spedizione. È possibile acquistarlo attraverso distributori autorizzati, e il supporto al prodotto o l’assistenza tecnica aggiuntiva sono disponibili tramite Vishay o il proprio fornitore.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHP30N60E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP30N60E-GE3 PCB symbols & footprints
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