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SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
4678 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP18N50C-E3
Panoramica del prodotto
12787692
Numero di Parte
SIHP18N50C-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHP18N50C-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 18A TO220ABInventario
4678 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP18N50C-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2942 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
223W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
SIHP18
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
SIHP18N50C-E3-DG
Schede tecniche
SIHP18N50C
Packaging Information
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SIHP18N50CE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIHP18N50C-E3?
Il MOSFET Vishay SIHP18N50C-E3 è un dispositivo a canale N con una tensione di polarizzazione di 500 V e una corrente di drain continua di 18 A, progettato per applicazioni di commutazione ad alta tensione. Include un package TO-220AB e supporta una dissipazione di potenza elevata fino a 223 W.
Il Vishay SIHP18N50C-E3 è adatto per la commutazione di potenza ad alta tensione?
Sì, questo MOSFET è specificamente progettato per applicazioni ad alta tensione, con una tensione drain-source di 500 V, rendendolo ideale per commutazione di potenza e utilizzi industriali che richiedono elevata tolleranza alla tensione.
Qual è il range massimo di temperatura operativa di questo MOSFET?
Il Vishay SIHP18N50C-E3 può operare in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, garantendo prestazioni affidabili in diverse condizioni ambientali.
Il Vishay SIHP18N50C-E3 è compatibile con alimentatori standard in formato TO-220?
Sì, il MOSFET viene fornito in un package standard TO-220AB, rendendolo compatibile con le metodologie di montaggio through-hole comunemente utilizzate negli alimentatori e nei sistemi che richiedono commutazione ad alta corrente.
Vishay offre garanzia o supporto per questo prodotto MOSFET?
Vishay garantisce supporto affidabile e autenticità del prodotto, con il SIHP18N50C-E3 disponibile a magazzino. Per dettagli specifici sulla garanzia, si consiglia di contattare il fornitore o i distributori autorizzati.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHP18N50C-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP18N50C-E3 PCB symbols & footprints
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