SIHP17N60D-E3 Vishay Siliconix
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SIHP17N60D-E3

Panoramica del prodotto

12786353

Numero di Parte

SIHP17N60D-E3-DG
SIHP17N60D-E3

Descrizione

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

Inventario

RFQ Online
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Minimo 1

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SIHP17N60D-E3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tube

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 600 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1780 pF @ 100 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 277.8W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB

Pacchetto / Custodia TO-220-3

Numero di prodotto di base SIHP17

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

SIHP17N60D-E3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
SIHP17N60DE3

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
STP16N60M2
STMicroelectronics
125
STP16N60M2-DG
0.76
MFR Recommended
STP18N60DM2
STMicroelectronics
920
STP18N60DM2-DG
1.04
MFR Recommended
TK12E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
50
TK12E60W,S1VX-DG
1.42
MFR Recommended
STP13N60M2
STMicroelectronics
971
STP13N60M2-DG
0.76
MFR Recommended
STP15N65M5
STMicroelectronics
988
STP15N65M5-DG
1.09
MFR Recommended
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