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SIHP065N60E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
1936 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 40A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP065N60E-GE3
Panoramica del prodotto
12787037
Numero di Parte
SIHP065N60E-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHP065N60E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 40A TO220ABInventario
1936 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 40A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Quantità
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SIHP065N60E-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
E
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2700 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
SIHP065
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIHP065N60E
Scheda Dati HTML
SIHP065N60E-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SIHP065N60E-GE3TR-DG
SIHP065N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP065N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP065N60E-GE3DKR-DG
SIHP065N60E-GE3TR
SIHP065N60E-GE3CT
SIHP065N60E-GE3CT-DG
SIHP065N60E-GE3DKR
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Assicurazione Qualità (QC)
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SIHP065N60E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP065N60E-GE3 PCB symbols & footprints
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