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SIHG70N60EF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
2600 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG70N60EF-GE3
Panoramica del prodotto
12787317
Numero di Parte
SIHG70N60EF-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHG70N60EF-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 70A TO247ACInventario
2600 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG70N60EF-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7500 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AC
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SIHG70
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIHG70N60EF
Scheda Dati HTML
SIHG70N60EF-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
25
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIHG70N60EF-GE3?
Il MOSFET Vishay SIHG70N60EF-GE3 è un componente a canale N con una tensione di alimentazione di 600V e una capacità di corrente di 70A, ideale per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Presenta una bassa resistenza Rds On (38mΩ a 35A e 10V) e una dissipazione di potenza fino a 520W, garantendo prestazioni efficienti. È progettato con un package TO-247AC, facilitando l'installazione tramite foro passante.
Il Vishay SIHG70N60EF-GE3 è compatibile con le tensioni di pilotaggio standard per MOSFET?
Sì, questo MOSFET può essere pilotato con una tensione gate-source massima di ±30V e generalmente richiede una tensione di pilotaggio di circa 10V per ottenere le migliori prestazioni di Rds On. È adatto per sistemi che utilizzano tensioni di pilotaggio standard di circa 10V-15V.
Quali sono le applicazioni più comuni del MOSFET Vishay SIHG70N60EF-GE3?
Questo MOSFET è ideale per inverter di potenza ad alta tensione, azionamenti di motori e alimentatori switching grazie alla sua elevata tensione di lavoro e capacità di corrente. Le sue caratteristiche di commutazione efficienti lo rendono una scelta popolare in applicazioni industriali ed elettroniche automobilistiche.
Quanto è resistente il Vishay SIHG70N60EF-GE3 nelle condizioni operative?
Il MOSFET è progettato per funzionare a temperature da -55°C a 150°C, con una dissipazione di potenza massima di 520W, assicurando affidabilità anche in ambienti gravosi. Rispetta gli standard RoHS3 ed ha un livello di sensibilità all’umidità illimitato, garantendo una lunga durata e robustezza.
Dove posso acquistare il MOSFET Vishay SIHG70N60EF-GE3 e qual è la disponibilità in magazzino?
Il Vishay SIHG70N60EF-GE3 è disponibile in magazzino con oltre 3.150 unità, confezionate in scatole tubo per facilitarne l’uso e l’installazione. È acquistabile tramite distributori autorizzati di componenti elettronici o direttamente dai rivenditori Vishay.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHG70N60EF-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG70N60EF-GE3 PCB symbols & footprints
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