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SIHG47N65E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
38180 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG47N65E-GE3
Panoramica del prodotto
12787065
Numero di Parte
SIHG47N65E-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHG47N65E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 47A TO247ACInventario
38180 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG47N65E-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5682 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
417W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AC
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SIHG47
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIHG47N65E-GE3
Scheda Dati HTML
SIHG47N65E-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
SIHG47N65E-GE3-DG
2266-SIHG47N65E-GE3
742-SIHG47N65E-GE3
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è la funzione principale del MOSFET Vishay SIHG47N65E-GE3?
Il Vishay SIHG47N65E-GE3 è un MOSFET a canale N progettato per applicazioni di commutazione ad alta tensione, garantendo un controllo efficiente dell'alimentazione in circuiti elettronici che operano fino a 650V.
Il Vishay SIHG47N65E-GE3 è compatibile con montaggio tramite fori passanti?
Sì, questo MOSFET è disponibile in un package TO-247AC, adatto per montaggio tramite fori passanti, facilitando l'installazione in vari progetti di elettronica di potenza.
Quali sono le principali specifiche elettriche di questo MOSFET?
Presenta una tensione drenaggio-sorgente di 650V, una corrente continua di drenaggio di 47A a 25°C e un RdsOn massimo di 72mΩ a 24A e Vgs di 10V, ideale per applicazioni di commutazione ad alta corrente.
Quali sono i vantaggi nell'usare il MOSFET Vishay SIHG47N65E-GE3?
Questo MOSFET garantisce una elevata dissipazione di potenza fino a 417W, un ampio intervallo di temperatura operativa da -55°C a 150°C e la conformità a RoHS3, assicurando sicurezza e affidabilità per usi industriali.
Il Vishay SIHG47N65E-GE3 è disponibile a stock garantito e supporto?
Sì, questo prodotto è attualmente disponibile in stock con oltre 33.900 unità, offrendo consegne rapide e una fornitura affidabile per i tuoi progetti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHG47N65E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG47N65E-GE3 PCB symbols & footprints
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