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SIHG47N60AEF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
9800 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG47N60AEF-GE3
Panoramica del prodotto
12787588
Numero di Parte
SIHG47N60AEF-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHG47N60AEF-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACInventario
9800 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG47N60AEF-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
EF
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3576 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
313W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AC
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SIHG47
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIHG47N60AEF
Scheda Dati HTML
SIHG47N60AEF-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
25
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIHG47N60AEF-GE3?
Il MOSFET Vishay SIHG47N60AEF-GE3 è un componente a canale N con una tensione di alimentazione di 600V e una corrente continua di 40A, con una resistenza Rds On di soli 70mΩ a un livello di gate di 10V. È ideale per applicazioni di commutazione ad alta tensione, presenta un package TO-247AC e offre un'efficiente gestione dell'energia con una dissipazione di potenza massima di 313W a temperatura del case Tc.
Il MOSFET Vishay SIHG47N60AEF-GE3 è compatibile con i requisiti di tensione e corrente del mio circuito elettronico?
Sì, questo MOSFET supporta una tensione drain-to-source fino a 600V e una corrente di drain continua di 40A a 25°C, rendendolo ideale per applicazioni ad alta tensione e alta corrente. Assicurati che le condizioni operative del tuo circuito siano compatibili con questi limiti per garantire le prestazioni ottimali.
Quali sono le principali applicazioni di questo MOSFET con package TO-247AC?
Il MOSFET in package TO-247AC è comunemente utilizzato in convertitori di potenza, azionamenti di motori e alimentatori switching, dove sono richieste alta tensione, alta corrente e commutazione efficiente.
Il MOSFET Vishay SIHG47N60AEF-GE3 è conforme alle norme RoHS?
Sì, questo MOSFET è conforme alle norme RoHS3, garantendo il rispetto degli standard ambientali e di sicurezza eliminando sostanze pericolose dal processo di produzione.
Quale assistenza post-vendita e disponibilità di magazzino posso aspettarmi acquistando questo MOSFET?
Il prodotto è attualmente disponibile in stock con oltre 8.000 unità, supportato direttamente dal fornitore Vishay. L'assistenza clienti da parte di distributori autorizzati assicura consegne affidabili e supporto qualora necessario.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHG47N60AEF-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG47N60AEF-GE3 PCB symbols & footprints
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