SIHG17N60D-GE3 Vishay Siliconix
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SIHG17N60D-GE3

Panoramica del prodotto

12786377

Numero di Parte

SIHG17N60D-GE3-DG
SIHG17N60D-GE3

Descrizione

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Inventario

RFQ Online
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
Quantità
Minimo 1

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  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 500 2.13 1063.36
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SIHG17N60D-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tube

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 600 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1780 pF @ 100 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 277.8W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC

Pacchetto / Custodia TO-247-3

Numero di prodotto di base SIHG17

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SIHG17N60D

Scheda Dati HTML

SIHG17N60D-GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
232
SPW15N60C3FKSA1-DG
3.04
MFR Recommended
STW18NM60N
STMicroelectronics
547
STW18NM60N-DG
3.00
MFR Recommended
IXTX32P60P
IXYS
674
IXTX32P60P-DG
12.45
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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