SIHG16N50C-E3 Vishay Siliconix
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SIHG16N50C-E3

Panoramica del prodotto

12786075

Numero di Parte

SIHG16N50C-E3-DG
SIHG16N50C-E3

Descrizione

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC

Inventario

1060 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Quantità
Minimo 1

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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 1 4.0200 4.0200
  • 10 3.4900 34.8600
  • 100 2.7900 278.9700
  • 500 2.4500 1226.5400
  • 1000 2.1200 2123.2800
  • 2000 2.0000 3998.6100
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SIHG16N50C-E3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tube

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 500 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 16A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1900 pF @ 25 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC

Pacchetto / Custodia TO-247-3

Numero di prodotto di base SIHG16

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

SIHG16N50C-E3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
STW14NK50Z
STMicroelectronics
3200
STW14NK50Z-DG
3.0831
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IXTQ16N50P
IXYS
2200
IXTQ16N50P-DG
2.3800
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IXYS
688100
IXTH24N50L-DG
2.5726
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