Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
Verifica delle prestazioni elettriche
Email di servizio:
[email protected]
>
SIHG16N50C-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
1356 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Richiedi preventivo
(Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
Minimo 1
5.0 / 5.0
- (50 Valutazioni)
SIHG16N50C-E3
Panoramica del prodotto
12786075
Numero di Parte
SIHG16N50C-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHG16N50C-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 16A TO247ACInventario
1356 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
Acquisto e richiesta
Garanzia & Resi
Come Ordinare
Spedizione e Consegna
Assicurazione Qualità
365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.
Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.
Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.
Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro
Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi
Imballaggio Antistatico ESD al 100%
Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine
Pagamento Sicuro e Flessibile
Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora
Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza
SIHG16N50C-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AC
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SIHG16
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
SIHG16N50C-E3-DG
Schede tecniche
SIHG16N50C-E3
SIHG16N50C-E3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
Vielen Dank an das Team für den großartigen Service und die zügige Lieferung.
dicembre 02, 2025
They dispatched our order within hours, and it arrived exactly as promised.
dicembre 02, 2025
DiGi Electronics is my preferred store because of their unbeatable prices and timely shipping.
dicembre 02, 2025
I’m impressed by the quality standards maintained by DiGi Electronics.
Pubblica Valutazione
Messaggio di valutazione
Please enter your review message.
Per favore, lascia commenti onesti e non pubblicare commenti illegali.
Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIHG16N50C-E3?
Il Vishay SIHG16N50C-E3 è un MOSFET N-Channel ad alta tensione, con una tensione drain-source di 500V, una corrente continua di drain di 16A e una dissipazione di potenza fino a 250W. È progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità e utilizza un package TO-247AC per un montaggio resistente e affidabile.
Il Vishay SIHG16N50C-E3 è adatto per lo switching di potenza in circuiti ad alta tensione?
Sì, questo MOSFET è appositamente progettato per lo switching di potenza ad alta tensione, con una capacità di gestire fino a 500V e carichi di corrente elevati, rendendolo ideale per alimentatori, variatori di motore e altri circuiti elettronici ad alta tensione.
Quali sono le specifiche principali del MOSFET Vishay SIHG16N50C-E3?
Le specifiche principali includono una tensione drain-source di 500V, una corrente di drain continua di 16A a 25°C, un Rds On massimo di 380 milliohm a 8A e 10V di gate, e una carica di gate di 68 nC, garantendo prestazioni di commutazione efficienti.
Il Vishay SIHG16N50C-E3 è compatibile con i circuiti standard e come si monta?
Questo MOSFET utilizza un metodo di montaggio a fori passanti con package TO-247AC, compatibile con schede PCB standard che richiedono componenti resistenti e ad alta potenza. È conforme alla normativa RoHS3, adatta ad applicazioni ecocompatibili.
Il Vishay SIHG16N50C-E3 offre garanzie o supporto post-vendita?
Il MOSFET è un prodotto nuovo, originale e disponibile a magazzino, supportato dal produttore con fonti affidabili. Per informazioni specifiche sulla garanzia o l'assistenza post-vendita, si consiglia di contattare direttamente il distributore o il produttore.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHG16N50C-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG16N50C-E3 PCB symbols & footprints
productDetail
