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SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
2300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHFB20N50K-E3
Panoramica del prodotto
12787006
Numero di Parte
SIHFB20N50K-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHFB20N50K-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 20A TO220ABInventario
2300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHFB20N50K-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2870 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
280W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
SIHFB20
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IRFB20N50K, SiHFB20N50K
Scheda Dati HTML
SIHFB20N50K-E3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIHFB20N50K-E3?
Il Vishay SIHFB20N50K-E3 è un MOSFET a canale N con una tensione di alimentazione di 500V, una corrente di drain continua di 20A e una resistenza Rds(On) bassa di 250 mΩ a 12A. È progettato per applicazioni di commutazione ad alta tensione, con una dissipazione di potenza massima di 280W e un intervallo di temperatura di funzionamento compreso tra -55°C e 150°C.
Questo MOSFET Vishay SIHFB20N50K-E3 è adatto per progetti di alimentatori ad alta tensione?
Sì, questo MOSFET è ideale per circuiti di alimentazione ad alta tensione grazie alla sua tensione drain-to-source di 500V. Le sue robuste caratteristiche garantiscono un funzionamento affidabile in applicazioni di commutazione impegnative.
Quali sono i requisiti di compatibilità e montaggio di questo MOSFET?
Il MOSFET utilizza un package a through-hole TO-220AB, rendendolo compatibile con le metodologie di montaggio standard. Richiede un adeguato dissipatore di calore per una gestione termica ottimale e un funzionamento affidabile.
Come migliora l’efficienza del Vishay SIHFB20N50K-E3 nelle applicazioni di commutazione?
La sua bassa Rds(On) di 250mΩ riduce le perdite di conduction, mentre le alte capacità di tensione e corrente supportano una commutazione efficiente in circuiti ad alta potenza, migliorando l’efficienza complessiva del sistema.
Vishay fornisce supporto o opzioni di sostituzione per il MOSFET SIHFB20N50K-E3?
Sì, Vishay offre modelli sostitutivi come FDP22N50N e IRFB20N50KPBF, assicurando compatibilità. Inoltre, il prodotto è supportato da disponibilità attiva di stock e garanzia standard per la soddisfazione del cliente.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHFB20N50K-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHFB20N50K-E3 PCB symbols & footprints
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