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SIHB33N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
19377 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SIHB33N60ET1-GE3
Panoramica del prodotto
12787346
Numero di Parte
SIHB33N60ET1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHB33N60ET1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 33A TO263Inventario
19377 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SIHB33N60ET1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3508 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SIHB33
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiHB33N60E
Scheda Dati HTML
SIHB33N60ET1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
SIHB33N60ET1-GE3-DG
SIHB33N60ET1-GE3TR
SIHB33N60ET1-GE3CT
SIHB33N60ET1-GE3DKR
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SIHB33N60ET1-GE3?
Il Vishay SIHB33N60ET1-GE3 è un MOSFET a canale N con una tensione di alimentazione di 600V e una corrente di drain continua di 33A. Presenta una resistenza Rds On molto bassa di 99mΩ a 16,5A e 10V Vgs, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo è progettato per montaggio superficiale, utilizzando il package TO-263 (D2PAK).
Il MOSFET Vishay SIHB33N60ET1-GE3 è compatibile con tensioni di gate di 12V o 10V?
Sì, il MOSFET può essere pilotato efficacemente con 10V Vgs per applicazioni di commutazione, con una tensione Vgs massima di ±30V. Ha anche una tensione di soglia di circa 4V, rendendolo compatibile con le tensioni di pilotaggio standard usate nell'elettronica di potenza.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET da 600V?
Questo MOSFET è ideale per commutazioni ad alta tensione, alimentatori, controlli motore e circuiti inverter dove sono richieste alte tensioni e correnti. Le sue specifiche robuste lo rendono adatto a compiti complessi di gestione dell'energia.
Come si comporta il Vishay SIHB33N60ET1-GE3 in ambienti ad alta temperatura?
Il MOSFET funziona in modo affidabile all’interno di un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, con una dissipazione di potenza massima di 278W alla temperatura della custodia, garantendo prestazioni stabili anche in ambienti termici difficili.
Qual è l'imballaggio e la disponibilità del MOSFET Vishay SIHB33N60ET1-GE3?
Questo MOSFET è disponibile in confezione Tape & Reel (TR), adatta per assemblaggio automatizzato a montaggio superficiale. È in pronta disponibilità con oltre 15.000 unità in stock, assicurando consegne rapide per i tuoi progetti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHB33N60ET1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHB33N60ET1-GE3 PCB symbols & footprints
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