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SIHB21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
89922 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SIHB21N65EF-GE3
Panoramica del prodotto
12787255
Numero di Parte
SIHB21N65EF-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIHB21N65EF-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAKInventario
89922 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SIHB21N65EF-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2322 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SIHB21
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIHB21N65EF
Scheda Dati HTML
SIHB21N65EF-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Reviews
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dicembre 02, 2025
Expédition très efficace, leur équipe gère tout avec méthode et rapidité.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIHB21N65EF-GE3?
Il Vishay SIHB21N65EF-GE3 è un MOSFET N-channel ad alta tensione con una tensione drain-to-source di 650V, una corrente continua di drain di 21A e una bassa Rds On di 180mΩ, ideale per applicazioni ad alta potenza. Presenta un package D2PAK a montaggio superficiale e rispetta gli standard RoHS3, garantendo sicurezza ambientale.
Il MOSFET Vishay SIHB21N65EF-GE3 è compatibile con i circuiti elettronici standard?
Sì, questo MOSFET è compatibile con i circuiti standard, richiedendo una tensione di pilotaggio massima di 10V e supportando una soglia di gate fino a 4V. Il suo package TO-263 a montaggio superficiale lo rende adatto a diverse applicazioni di commutazione di potenza.
Quali sono gli utilizzi principali e le applicazioni di questo MOSFET ad alta tensione?
Questo MOSFET è ideale per alimentatori, controllo motori, inverter e circuiti di commutazione ad alta tensione, grazie alla sua elevata capacità di tolleranza di tensione, al dissipation di potenza di 208W e alle robuste prestazioni in condizioni di alta temperatura.
Come garantisce il Vishay SIHB21N65EF-GE3 un funzionamento affidabile nel lungo termine?
Presenta un ampio intervallo di temperatura operativa che va da -55°C a 150°C, un'elevata capacità di dissipazione di potenza e la conformità agli standard RoHS3, assicurando durabilità e sicurezza in ambienti operativi impegnativi.
Cosa devo sapere sull'acquisto e la gestione di questo prodotto MOSFET?
Il prodotto è disponibile in stock con oltre 90.000 unità ed è fornito in confezioni in tubo per un facile montaggio. Si consiglia una corretta gestione per evitare danni da statico, ed è adatto per applicazioni industriali e commerciali che richiedono commutazioni ad alta tensione affidabili.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIHB21N65EF-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3 PCB symbols & footprints
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