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SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
23336 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA931DJ-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786861
Numero di Parte
SIA931DJ-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIA931DJ-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6Inventario
23336 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA931DJ-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
445pF @ 15V
Potenza - Max
7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numero di prodotto di base
SIA931
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIA931DJ
Scheda Dati HTML
SIA931DJ-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIA931DJ-T1-GE3DKR
SIA931DJ-T1-GE3CT
SIA931DJ-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array di MOSFET Vishay SIA931DJ-T1-GE3?
L'array SIA931DJ-T1-GE3 è un array di MOSFET a canale P doppio realizzato con tecnologia TrenchFET®, con una tensione drain-source di 30V, una corrente di drain continua di 4,5A e controllo gate a livello logico. È dotato di un package compatto PowerPAK® SC-70-6, ideale per montaggio superficiale.
Quali applicazioni sono adatte per l'array di MOSFET Vishay SIA931DJ-T1-GE3?
Questo array di MOSFET è ideale per commutazioni ad alta velocità, gestione dei carichi, circuiti di alimentazione e gestione delle batterie, dove sono necessari MOSFET doppi salvaspazio con bassi valori di Rds(on) e tempi di risposta rapidi.
L'array di MOSFET Vishay SIA931DJ-T1-GE3 è compatibile con la produzione di schede PCB a montaggio superficiale standard?
Sì, il dispositivo presenta un package doppio PowerPAK® SC-70-6, progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, garantendo compatibilità con i processi di assemblaggio PCB standard per una produzione efficiente.
Quali sono i principali vantaggi dell'utilizzo di questo array di MOSFET a canale P doppio?
L'array offre bassi valori di Rds(on), elevata capacità di corrente e funzionamento a livello logico del gate, consentendo uno switch di potenza efficiente con calore minimo e un formato compatto, ideale per dispositivi elettronici moderni.
Vishay fornisce supporto o garanzie per l'array di MOSFET SIA931DJ-T1-GE3?
Vishay fornisce questo prodotto come componente nuovo, originale e conforme a RoHS3; è disponibile a magazzino. Per dettagli sulla garanzia o il supporto, si consiglia di contattare distributori autorizzati o direttamente Vishay.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIA931DJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA931DJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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