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SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
9477 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA533EDJ-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787321
Numero di Parte
SIA533EDJ-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIA533EDJ-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6Inventario
9477 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA533EDJ-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
420pF @ 6V
Potenza - Max
7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numero di prodotto di base
SIA533
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIA533EDJ
Scheda Dati HTML
SIA533EDJ-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIA533EDJ-T1-GE3DKR
SIA533EDJT1GE3
SIA533EDJ-T1-GE3CT
SIA533EDJ-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array di MOSFET Vishay SIA533EDJ-T1-GE3?
L'array di MOSFET SIA533EDJ-T1-GE3 è un insieme duale di MOSFET a canale N/P con una tensione drain-to-source di 12V, in grado di gestire una corrente continua fino a 4,5A e con una resistenza Rds(on) bassa di 34mΩ. È ideale per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza.
L'array di MOSFET Vishay SIA533EDJ-T1-GE3 è compatibile con design di PCB a montaggio superficiale?
Sì, questo array di MOSFET è progettato con un package Surface Mount PowerPAK® SC-70-6, rendendolo adatto a disegni di PCB compatti e facile da installare in applicazioni a montaggio superficiale.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo array di MOSFET duale?
Questo array di MOSFET viene comunemente utilizzato in gestione dell'energia, commutazione di carico, controllo di motori e altri alimentatori a commutazione ad alta efficienza, dove è richiesto spazio ridotto e prestazioni affidabili.
Quali sono i vantaggi di usare un MOSFET a livello logico come il SIA533EDJ-T1-GE3?
I MOSFET a livello logico funzionano efficientemente a tensioni di gate più basse (intorno ai 4,5V), riducendo il consumo energetico e facilitando l'interfaccia diretta con microcontrollori e dispositivi logici, semplificando la progettazione dei circuiti.
Il Vishay SIA533EDJ-T1-GE3 include certificazioni e garanzia applicabili?
L'array di MOSFET è conforme alle norme RoHS3 ed è garantito da Vishay con un elevato standard di qualità, assicurando durata e rispetto delle normative ambientali; è disponibile come stock originale nuovo e affidabile, con supporto post-vendita affidabile.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIA533EDJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA533EDJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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