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SIA432DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
8075 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
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SIA432DJ-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787304
Numero di Parte
SIA432DJ-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIA432DJ-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Inventario
8075 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
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SIA432DJ-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
800 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SC-70-6
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SC-70-6
Numero di prodotto di base
SIA432
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIA432DJ
Scheda Dati HTML
SIA432DJ-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIA432DJ-T1-GE3TR
SIA432DJ-T1-GE3DKR
SIA432DJ-T1-GE3CT
SIA432DJT1GE3
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SIA432DJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA432DJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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