SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIA430DJT-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12786083

Numero di Parte

SIA430DJT-T1-GE3-DG
SIA430DJT-T1-GE3

Descrizione

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Inventario

33300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Quantità
Minimo 1

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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 3000 0.1700 510.3500
  • 6000 0.1600 958.5700
  • 9000 0.1500 1349.3600
  • 30000 0.1400 4255.3700
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SIA430DJT-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 7A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 800 pF @ 10 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 19.2W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6

Numero di prodotto di base SIA430

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

SIA430DJT-T1-GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Certificazione DIGI
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