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SIA408DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
105576 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
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SIA408DJ-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787373
Numero di Parte
SIA408DJ-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIA408DJ-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6Inventario
105576 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
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SIA408DJ-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.6V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
830 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SC-70-6
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SC-70-6
Numero di prodotto di base
SIA408
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIA408DJ
Scheda Dati HTML
SIA408DJ-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIA408DJ-T1-GE3CT
SIA408DJT1GE3
SIA408DJ-T1-GE3TR
SIA408DJ-T1-GE3DKR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
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dicembre 02, 2025
配送速度快，商品完好無損，整體體驗非常愉快。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIA408DJ-T1-GE3?
Questo MOSFET offre una tensione massima tra drain e source di 30V, una corrente continua di drain di 4,5A e presenta un package PowerPAK® SC-70-6 a montaggio superficiale, garantendo un’efficiente gestione della potenza e un design compatto.
Il Vishay SIA408DJ-T1-GE3 è adatto per applicazioni ad alta temperatura?
Sì, funziona con un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C (TJ), rendendolo ideale per applicazioni in ambienti impegnativi.
Come beneficia la specifica Rds On il mio progetto di circuito?
Un Rds On basso di 36mΩ a 5,3A e 10V riduce le perdite di conduzione, migliorando l’efficienza nei circuiti di commutazione di potenza.
Il Vishay SIA408DJ-T1-GE3 è compatibile con i sistemi di gestione dell’energia standard?
Sì, supporta un intervallo di tensione di pilotaggio fino a 10V ed è conforme alle normative RoHS3, assicurando compatibilità con standard di alimentazione e tutela ambientale.
Cosa bisogna considerare quando si acquista o si sostituisce questo MOSFET?
Poiché il prodotto è dichiarato obsoleto, verificare eventuali sostituti appropriati come SIA400EDJ-T1-GE3 o PMPB33XN e assicurarsi della compatibilità con le esigenze circuitali esistenti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIA408DJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA408DJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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