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SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
38040 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786667
Numero di Parte
SI9933CDY-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SI9933CDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICInventario
38040 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
665pF @ 10V
Potenza - Max
3.1W
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
SI9933
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SI9933CDY
Scheda Dati HTML
SI9933CDY-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SI9933CDY-T1-GE3TR
SI9933CDYT1GE3
SI9933CDY-T1-GE3DKR
SI9933CDY-T1-GE3CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
포장 과정이 정밀하고 튼튼하여 제품 보호에 최적입니다.
dicembre 02, 2025
注文後すぐに届き、梱包も安心できるものでした。とても満足です！
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array di MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3?
L'array di MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 è progettato come una coppia di MOSFET P-channel duali per applicazioni a montaggio superficiale, con una tensione drain-to-source di 20V, una corrente continua di drain di 4A e una bassa Rds(on) di 58mΩ, rendendolo ideale per commutazione di potenza e controllo del carico.
L'array di MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 è compatibile con sistemi di pilotaggio gate a livello logico?
Sì, questo array di MOSFET dispone di una funzione gate a livello logico con Vgs(th) di 1,4V, permettendo un funzionamento efficiente con tensioni di pilotaggio logico standard, tipicamente tra 4,5V e 10V.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo array di MOSFET P-channel duale?
Questo array di MOSFET è comunemente utilizzato in commutazione di carico, gestione dell'alimentazione, controllo PWM e altri circuiti elettronici che richiedono alta efficienza e bassa Rds(on) per la commutazione di potenza a doppio canale.
L'array Vishay SI9933CDY-T1-GE3 è adatto per ambienti ad alta temperatura?
Sì, funziona affidabilmente in un intervallo di temperatura compreso tra -50°C e 150°C, rendendolo adatto per applicazioni industriali e automobilistiche ad alta temperatura.
Quali vantaggi offre la serie di MOSFET SI9933 in termini di durabilità e conformità?
I MOSFET della serie SI9933 sono conformi alle normative RoHS3, con un livello di sensibilità all'umidità di livello 1 (illimitato), e sono progettati per garantire affidabilità in vari ambienti industriali, assicurando durabilità e conformità agli standard del settore.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SI9933CDY-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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