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SI9926CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
20200 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
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SI9926CDY-T1-E3
Panoramica del prodotto
12786811
Numero di Parte
SI9926CDY-T1-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SI9926CDY-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICInventario
20200 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
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SI9926CDY-T1-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1200pF @ 10V
Potenza - Max
3.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
SI9926
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SI9926CDY
Scheda Dati HTML
SI9926CDY-T1-E3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SI9926CDY-T1-E3-DG
SI9926CDY-T1-E3CT
SI9926CDY-T1-E3TR
SI9926CDY-T1-E3DKR
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array MOSFET Vishay SI9926CDY-T1-E3?
L'array MOSFET Vishay SI9926CDY-T1-E3 è composto da due MOSFET N-channel con una tensione drain-source di 20V, corrente continua di drain di 8A e una bassa Rds(on) di 18mΩ. Presenta un driver di livello logico e un package surface-mount 8-SOIC, ideale per applicazioni ad alta efficienza.
In quali dispositivi elettronici o circuiti posso utilizzare l'array MOSFET Vishay SI9926CDY-T1-E3?
Questo array MOSFET N-channel doppio è ideale per commutazione di tensione, gestione dell'alimentazione e commutazione del carico in dispositivi di consumo, automazione industriale e dispositivi portatili. Il suo design compatto surface-mount lo rende versatile per applicazioni con spazio ridotto.
L'array Vishay SI9926CDY-T1-E3 è compatibile con l'assemblaggio PCB standard a montaggio superficiale?
Sì, l'array MOSFET è disponibile in un package 8-SOIC, compatibile con i processi di assemblaggio a montaggio superficiale (SMT), facilitando l'integrazione nei progetti PCB.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo della tecnologia TrenchFET® di Vishay in questo MOSFET?
La tecnologia TrenchFET® garantisce una Rds(on) più bassa, una riduzione delle perdite di conduzione e un miglioramento dell’efficienza, rendendo questo MOSFET adatto per applicazioni di alimentazione di alto livello con esigenze minime di gestione termica.
L'array Vishay SI9926CDY-T1-E3 offre un supporto post-vendita affidabile e logistica?
Sì, il prodotto è disponibile in stock con oltre 20.000 unità, è conforme alle normative RoHS3, garantendo qualità e rispetto ambientale. Vishay fornisce supporto completo e documentazione per un'integrazione senza problemi.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SI9926CDY-T1-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-E3 PCB symbols & footprints
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