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SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
17200 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786528
Numero di Parte
SI7997DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8Inventario
17200 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6200pF @ 15V
Potenza - Max
46W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8 Dual
Numero di prodotto di base
SI7997
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SI7997DP
Scheda Dati HTML
SI7997DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
包裝設計非常耐用，讓我對他們的品質充滿信心。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3?
L'array MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3 è un dispositivo dual P-channel progettato per applicazioni a montaggio superficiale, offrendo una tensione drain-source massima di 30V, una corrente continua di drain di 60A e una resistenza Rds(on) ridotta di 5,5 mΩ a 20A. È disponibile in una confezione PowerPAK® SO-8 Dual, ideale per circuiti ad alta potenza e commutazione ad alta velocità.
Come posso utilizzare i MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3 nei miei progetti elettronici?
Questi MOSFET sono ideali per la gestione dell'alimentazione, l'interruttimento dei carichi e il controllo dei motori, in applicazioni che richiedono commutazione efficiente e perdite di conduzione minime. Il loro design a montaggio superficiale li rende adatti per schede circuitali compatte e ad alte prestazioni.
L'array MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3 è compatibile con i processi di saldatura SMD standard?
Sì, l'array MOSFET presenta una confezione PowerPAK® SO-8 Dual compatibile con le tecniche di saldatura SMD standard, garantendo un'integrazione semplice nelle moderne schede PCB.
Quali sono i vantaggi dell'uso della tecnologia TrenchFET® di Vishay in questo array di MOSFET?
La tecnologia TrenchFET® offre una Rds(on) più bassa, una maggiore efficienza e migliori prestazioni di commutazione, contribuendo a ridurre la dissipazione di calore e ad aumentare l'affidabilità complessiva nelle applicazioni di potenza.
Il array Vishay SI7997DP-T1-GE3 viene fornito con garanzia o supporto post-vendita?
In quanto prodotto nuovo, originale e disponibile in magazzino, di solito è accompagnato dal supporto del produttore e conforme agli standard RoHS3, assicurando qualità e sicurezza ambientale. Verifica con il tuo fornitore le politiche di garanzia specifiche.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SI7997DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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