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SI7994DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
1604 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7994DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786261
Numero di Parte
SI7994DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SI7994DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8Inventario
1604 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7994DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3500pF @ 15V
Potenza - Max
46W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8 Dual
Numero di prodotto di base
SI7994
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SI7994DP
Scheda Dati HTML
SI7994DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI7994DP-T1-GE3CT
SI7994DP-T1-GE3TR
SI7994DPT1GE3
SI7994DP-T1-GE3DKR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e specifiche dell'array MOSFET Vishay SI7994DP-T1-GE3?
L'array MOSFET Vishay SI7994DP-T1-GE3 è un doppio array di MOSFET a canale N progettato per applicazioni ad alta corrente, con una tensione massima drain-source di 30V, una corrente continua di drain di 60A e un Rds(on) basso di 5,6mΩ. È realizzato in un package PowerPAK® SO-8 Dual, adatto al montaggio superficiale.
Quali sono gli usi più comuni e le applicazioni del MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8?
Questo array di MOSFET è ideale per commutazione di potenza, controllo motori e circuiti di gestione dell'energia dove sono richiesti alta corrente e commutazione efficiente, come driver per motori, alimentatori e elettronica automobilistica.
Il Vishay SI7994DP-T1-GE3 è compatibile con altri componenti e circuiti elettronici?
Sì, il MOSFET è compatibile con componenti e circuiti elettronici standard che richiedono MOSFET a canale N ad alta corrente ed è adatto per progetti con montaggio superficiale integrati in vari moduli di alimentazione.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questa doppia array di MOSFET a canale N nel mio progetto?
La configurazione doppia permette di risparmiare spazio sulla scheda PCB, offre un Rds(on) basso per una conduzione efficiente dell'energia e garantisce alte capacità di corrente con prestazioni termiche affidabili, rendendola adatta per applicazioni di potenza impegnative.
Come posso acquistare e ottenere supporto per l'array MOSFET Vishay SI7994DP-T1-GE3?
Puoi acquistare questo array MOSFET presso distributori autorizzati di componenti elettronici. Per supporto tecnico o servizi di garanzia, contatta direttamente il fornitore o consulta la scheda tecnica per dettagliate specifiche e istruzioni di funzionamento.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SI7994DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7994DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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