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SI7386DP-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
9082 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SI7386DP-T1-E3
Panoramica del prodotto
12787451
Numero di Parte
SI7386DP-T1-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SI7386DP-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8Inventario
9082 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SI7386DP-T1-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SI7386
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Si7386DP
Scheda Dati HTML
SI7386DP-T1-E3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI7386DP-T1-E3DKR
SI7386DPT1E3
SI7386DP-T1-E3TR
SI7386DP-T1-E3CT
Reviews
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SI7386DP-T1-E3?
Il SI7386DP-T1-E3 è un MOSFET a canale N ad alte prestazioni, con una tensione di drain-source di 30V, una corrente continua di 12A e una bassa Rds On di 7mΩ a 19A e 10V. Utilizza una confezione Surface Mount PowerPAK® SO-8 per un'installazione affidabile e una gestione termica efficiente.
Il MOSFET Vishay SI7386DP-T1-E3 è compatibile con dispositivi elettronici comuni?
Sì, questo MOSFET è adatto a diverse applicazioni, tra cui interruttori di potenza, controllo di motori e gestione dell'energia in elettronica di consumo, automotive e apparecchiature industriali, grazie alla sua alta efficienza e capacità di funzionare ad alte temperature fino a 150°C.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del package PowerPAK® SO-8 per questo MOSFET?
Il package PowerPAK® SO-8 offre un'eccellente performance termica, dimensioni compatte e facilità di montaggio superficiale, contribuendo a migliorare l'affidabilità complessiva del circuito e semplificando i processi di produzione.
Come migliora la serie SI7386 l’efficienza energetica dei circuiti?
La serie SI7386 presenta una bassa Rds On e una ridotta carica di gate, riducendo le perdite di conduzione e commutazione, con un conseguente aumento dell'efficienza energetica e miglioramento delle prestazioni termiche nelle applicazioni di alimentazione.
Quali garanzie e supporto post-vendita sono disponibili per il MOSFET Vishay SI7386DP-T1-E3?
Questo MOSFET è un componente nuovo e originale disponibile in stock, con supporto completo del produttore e conformità agli standard RoHS3, garantendo qualità del prodotto e un servizio post-vendita affidabile. Per dettagli sulla garanzia, si consiglia di contattare i distributori autorizzati.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SI7386DP-T1-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7386DP-T1-E3 PCB symbols & footprints
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