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UF3C120040K4S
Qorvo
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
68556 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
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UF3C120040K4S
Panoramica del prodotto
12930662
Numero di Parte
UF3C120040K4S-DGProduttore
Qorvo
UF3C120040K4S
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4Inventario
68556 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
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UF3C120040K4S Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
429W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
UF3C120040
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
UF3C120040K4S
Scheda Dati HTML
UF3C120040K4S-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2312-UF3C120040K4S
Reviews
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dicembre 02, 2025
문제 해결 능력이 뛰어나고 고객 중심적인 접근이 인상적입니다.
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è la tensione di lavoro e la corrente nominale del MOSFET SICFET N-Channel (UF3C120040K4S)?
Il MOSFET SICFET N-Channel supporta una tensione drain-sorgente di 1200V e una corrente continua di drain di 65A a 25°C, rendendolo adatto per applicazioni ad alta tensione e alta corrente.
Il MOSFET UF3C120040K4S è compatibile con il montaggio attraverso foro per facilitare l'installazione?
Sì, questo MOSFET presenta un tipo di montaggio con foro passante utilizzando il package TO-247-4, che semplifica l'installazione ed è ideale per applicazioni di commutazione di potenza.
Quali sono i principali vantaggi di usare un SiC JFET (Cascode SiCJFET) come il UF3C120040K4S nei circuiti elettronici?
Gli SiC JFET offrono una Rds(on) inferiore, maggiore efficienza e migliori prestazioni termiche rispetto ai tradizionali MOSFET in silicio, rendendoli ideali per ambienti ad alta potenza e alte temperature.
Qual è l'intervallo di temperatura di esercizio e i limiti di dissipazione di potenza di questo MOSFET?
Il MOSFET funziona efficacemente tra -55°C e 175°C e può dissipare fino a 429W a temperatura di giunzione del cascode, garantendo prestazioni affidabili ad alta potenza.
Il MOSFET UF3C120040K4S è conforme alle normative RoHS ed è idoneo per uso industriale?
Sì, questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3 e possiede varie certificazioni, rendendolo adatto per applicazioni industriali, automotive e altri utilizzi ad alta affidabilità.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
UF3C120040K4S CAD Models
Qorvo UF3C120040K4S PCB symbols & footprints
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