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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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Panoramica del prodotto
12994845
Numero di Parte
TPHR6503PL1,LQ-DGProduttore
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL1,LQ
Descrizione
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZInventario
68029 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
U-MOSIX-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP Advance (5x5.75)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
TPHR6503PL1
Scheda Dati HTML
TPHR6503PL1,LQ-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è l'applicazione principale del MOSFET N-Channel Toshiba UMOS9 SOP-ADV?
Questo MOSFET è progettato per applicazioni di commutazione ad alta corrente come la gestione dell'energia, i driver per motori e i sistemi inverter, grazie alla sua elevata capacità di corrente e alla bassa resistenza Rds On.
Il MOSFET della serie U-MOSIX-H di Toshiba è compatibile con design standard di schede PCB a superficie?
Sì, è dotato di un packaging avanzato 8-SOP a superficie, rendendolo adatto per l'assemblaggio su PCB standard e design compatti.
Quali sono le principali specifiche elettriche di questo MOSFET N-Channel?
Supporta una tensione drain-source di 30V, una corrente continua di drain di 150A a 25°C, e presenta una bassa Rds On di 0,65 mΩ a 50A e una Vgs di 10V, garantendo una conduzione di potenza efficiente.
Può questo MOSFET operare a temperature elevate e qual è la sua temperatura massima di funzionamento?
Sì, può operare in modo affidabile a temperature fino a 175°C, rendendolo adatto per applicazioni energetiche industriali esigenti.
Il MOSFET Toshiba è coperto da garanzia o disponibilità di magazzino per ordini all'ingrosso?
Il prodotto è attualmente disponibile con oltre 68.514 pezzi in stock e, essendo un articolo originale nuovo, di solito viene fornito con garanzia del produttore e supporto per ordini all'ingrosso.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
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