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TK33S10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
3050 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TK33S10N1L,LQ
Panoramica del prodotto
12943189
Numero di Parte
TK33S10N1L,LQ-DGProduttore
Toshiba Semiconductor and Storage
TK33S10N1L,LQ
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 33A DPAKInventario
3050 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Quantità
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TK33S10N1L,LQ Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK+
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
TK33S10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
TK33S10N1L
Scheda Dati HTML
TK33S10N1L,LQ-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba Semiconductor and Storage
4677
TK33S10N1L,LXHQ-DG
0.4426
Parametric Equivalent
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Assicurazione Qualità (QC)
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TK33S10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L,LQ PCB symbols & footprints
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