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TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
1943 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ
Panoramica del prodotto
12939605
Numero di Parte
TK200F04N1L,LXGQ-DGProduttore
Toshiba Semiconductor and Storage
TK200F04N1L,LXGQ
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SMInventario
1943 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
14920 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SM(W)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
TK200F04
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
TK200F04N1L
Scheda Dati HTML
TK200F04N1L,LXGQ-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
TK200F04N1L,LXGQ(O
264-TK200F04N1LLXGQCT
264-TK200F04N1LLXGQDKR
264-TK200F04N1LLXGQTR
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Assicurazione Qualità (QC)
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TK200F04N1L,LXGQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L,LXGQ PCB symbols & footprints
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