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NVTFS052P04M8LTAG
onsemi
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
2063 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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Panoramica del prodotto
12939908
Numero di Parte
NVTFS052P04M8LTAG-DGProduttore
onsemi
NVTFS052P04M8LTAG
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFNInventario
2063 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NVTFS052P04M8LTAG Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 95µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
424 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.9W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
NVTFS052
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NVTFS052P04M8L
Scheda Dati HTML
NVTFS052P04M8LTAG-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVTFS052P04M8LTAGDKR
488-NVTFS052P04M8LTAGTR
488-NVTFS052P04M8LTAGCT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Assicurazione Qualità (QC)
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NVTFS052P04M8LTAG CAD Models
onsemi NVTFS052P04M8LTAG PCB symbols & footprints
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