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NVMFS6H824NLT1G
onsemi
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
688400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G
Panoramica del prodotto
12938856
Numero di Parte
NVMFS6H824NLT1G-DGProduttore
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFNInventario
688400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 110A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 140µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2900 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numero di prodotto di base
NVMFS6
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NVMFS6H824NL
Scheda Dati HTML
NVMFS6H824NLT1G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFS6H824NLT1GTR
488-NVMFS6H824NLT1GCT
488-NVMFS6H824NLT1GDKR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G?
Questo MOSFET a canale N presenta una tensione Vds di 80V, una capacità di corrente continua di drain di 20A a 25°C e una bassa Rds On di 4mΩ a Vgs di 10V, rendendolo ideale per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza.
Il MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G è compatibile con progetti automotive?
Sì, questo MOSFET è qualificato per l'uso in automobili con grado AEC-Q101, garantendo prestazioni affidabili in ambienti esigenti.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET N-channel in montaggio superficiale?
È ideale per la gestione dell'energia, il controllo dei motori, l'illuminazione a LED e altri circuiti che richiedono commutazione di alta corrente con bassa resistenza on.
Come si maneggia e monta correttamente il MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G?
Questo componente è progettato per montaggio superficiale in un package 5-DFN; le precauzioni includono misure antistatiche e posizionamento preciso sul PCB per garantire le migliori prestazioni.
Il MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G include garanzia o supporto post-vendita?
Sì, il MOSFET viene venduto come prodotto nuovo e originale in magazzino, con supporto disponibile tramite distributori autorizzati e i canali del servizio clienti onsemi.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NVMFS6H824NLT1G CAD Models
onsemi NVMFS6H824NLT1G PCB symbols & footprints
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