Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
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NVMFS2D3P04M8LT1G
onsemi
MV8 P INITIAL PROGRAM
889091 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G
Panoramica del prodotto
12974262
Numero di Parte
NVMFS2D3P04M8LT1G-DGProduttore
onsemi
NVMFS2D3P04M8LT1G
Descrizione
MV8 P INITIAL PROGRAMInventario
889091 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 2.7mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5985 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NVMFS2D3P04M8L
Scheda Dati HTML
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET P-Channel NVMFS2D3P04M8LT1G?
Il NVMFS2D3P04M8LT1G è un MOSFET a canale P con una tensione di drain-to-source di 40V, una corrente continua di drain di 31A e una resistenza Rds On estremamente bassa di 2,2mΩ a 30A e 10V. È progettato per offrire alta efficienza e affidabilità in applicazioni automotive ed elettroniche.
Il MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G è adatto per uso automotive?
Sì, questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC-Q101, rendendolo idoneo per applicazioni automotive dove affidabilità e resistenza alle temperature (-55°C a 175°C) sono fondamentali.
Quali opzioni di confezionamento sono disponibili per il MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G?
Questo MOSFET è disponibile in un package surface-mount 8-PowerTDFN (5x6 mm), ideale per circuiti elettronici compatti e applicazioni automotive, ed è conforme alle normative RoHS3.
Come gestisce il NVMFS2D3P04M8LT1G la dissipazione di potenza e le condizioni termiche?
Può dissipare fino a 3,8W in condizioni ambientali normali e fino a 205W se montato su un dissipatore di calore o pad termico adeguato, con una temperatura massima di esercizio tra -55°C e 175°C.
Dove posso acquistare il MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G e qual è la sua disponibilità?
Il NVMFS2D3P04M8LT1G è facilmente disponibile in stock, con oltre 890.000 pezzi offerti da un fornitore affidabile, garantendo un approvvigionamento sicuro per i tuoi progetti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NVMFS2D3P04M8LT1G CAD Models
onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G PCB symbols & footprints
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