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NVMFS005N10MCLT1G
onsemi
PTNG 100V LL SO8FL
688300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS005N10MCLT1G
Panoramica del prodotto
12974637
Numero di Parte
NVMFS005N10MCLT1G-DGProduttore
onsemi
NVMFS005N10MCLT1G
Descrizione
PTNG 100V LL SO8FLInventario
688300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS005N10MCLT1G Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18.4A (Ta), 108A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 192µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4100 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 131W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
NVMFS005N10MCLT1G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFS005N10MCLT1GDKR
488-NVMFS005N10MCLT1GTR
488-NVMFS005N10MCLT1GCT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET N-Channel NVMFS005N10MCLT1G?
Questo MOSFET N-Channel offre una tensione drain-sorgente di 100V, una corrente continua massima di drain di 18,4A a 25°C, e un Rds On basso di 5,1mΩ a 34A e 10V, rendendolo adatto per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.
L'NVMFS005N10MCLT1G è compatibile con l'elettronica automobilistica?
Sì, questo MOSFET è certificato per l'uso in automotive e risponde allo standard di qualifica AEC-Q101, garantendo prestazioni affidabili in ambienti automobilistici.
Quali confezioni sono disponibili per il MOSFET NVMFS005N10MCLT1G?
Questo MOSFET è disponibile in una confezione a montaggio superficiale 8-PowerTDFN (5x6mm) e in una confezione 8-SOFL (Small Outline Flanged), adatte a design elettronici compatti.
Come si comporta il NVMFS005N10MCLT1G in termini di dissipazione di potenza e gestione termica?
Ha una dissipazione di potenza massima di 3,8W a temperatura ambiente e fino a 131W quando montato su un dissipatore di calore adeguato, con un intervallo di temperatura operativa da -55°C a 175°C, garantendo prestazioni termiche robuste.
Ci sono vantaggi nel scegliere questo MOSFET per il mio progetto di alimentatore switching?
Sì, grazie al suo basso Rds On, alta capacità di corrente e tolleranza alle alte temperature, è ideale per commutazioni efficienti, riducendo le perdite di potenza e migliorando l'affidabilità complessiva del sistema.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NVMFS005N10MCLT1G CAD Models
onsemi NVMFS005N10MCLT1G PCB symbols & footprints
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