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NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
1000400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
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NVHL080N120SC1A
Panoramica del prodotto
12938801
Numero di Parte
NVHL080N120SC1A-DGProduttore
onsemi
NVHL080N120SC1A
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Inventario
1000400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
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NVHL080N120SC1A Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
178W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
NVHL080
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NVHL080N120SC1A
Scheda Dati HTML
NVHL080N120SC1A-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e specifiche del MOSFET onsemi NVHL080N120SC1A?
L’NVHL080N120SC1A è un MOSFET a canale N in Carburo di Silicio (SiC) con una tensione nominale di 1200V e una corrente continua di drenaggio di 31A a 25°C, progettato per applicazioni ad alta potenza. Presenta una resistenza Rds On bassa di 110 milliohm a 20A/20V ed è adatto a temperature di esercizio comprese tra -55°C e 175°C, rispettando gli standard automobilistici.
Per quali applicazioni è adatto questo MOSFET in SiC?
Questo MOSFET in SiC è ideale per convertitori di potenza ad alta tensione, azionamenti industriali e sistemi di alimentazione automobilistici grazie alla sua elevata capacità di gestione della tensione, efficienza e prestazioni termiche. La sua costruzione robusta lo rende idoneo per ambienti ad alta temperatura e alta corrente.
È compatibile questo MOSFET NVHL080N120SC1A con i metodi standard di montaggio a foro passante?
Sì, questo MOSFET è dotato di un package TO-247-3 progettato per il montaggio a foro passante, rendendolo compatibile con i processi di assemblaggio standard utilizzati nell’elettronica di potenza e nelle apparecchiature industriali.
Quali sono i vantaggi dell’utilizzo della tecnologia in Carburo di Silicio (SiC) in questo MOSFET?
La tecnologia in Carburo di Silicio garantisce maggiore efficienza, velocità di commutazione più elevata e migliori prestazioni termiche rispetto ai MOSFET tradizionali in silicio, contribuendo a ridurre le perdite di potenza e ad aumentare l’affidabilità del sistema in applicazioni ad alta tensione.
Quali garanzie o supporto sono disponibili per questo prodotto MOSFET?
Questo prodotto è un articolo nuovo e originale onsemi, con stato attivo e disponibilità a magazzino. I produttori solitamente offrono supporto tecnico e condizioni di garanzia; si consiglia di contattare il fornitore per dettagli specifici su assistenza post vendita e garanzie.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NVHL080N120SC1A CAD Models
onsemi NVHL080N120SC1A PCB symbols & footprints
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